MICROCHIP APT45GP120B2DQ2G
Артикул: C17272638
Part Number: APT45GP120B2DQ2G
Производитель: MICROCHIP
от 67.548600 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 69.428300 ₽ |
| 30 шт. | 67.548600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | PT (Punch-Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 625W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 113A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 750uA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.3V |
| Заряд затвора (Qg) | 185nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.9V@15V,45A |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.995nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 300pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 55pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 100ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 900uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 905uJ;2.255mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 26ns |
Описание
625W 113A 1.2kV PT (пробойник-Through) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS