IGBT 1.2kV 20A монтаж в отверстия
Артикул: C17271226
Part Number: DF80R12W2H3FB11
Производитель: Infineon
от 44.691700 ₽
В наличии: 288 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 46.316900 ₽ |
| 30 шт. | 44.691700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.75V@20A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@1.00mA |
| Заряд затвора (Qg) | 320nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.35nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 130pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 250ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 260uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 800uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
IGBT 1.2kV 20A 20mW монтаж в отверстия,62.8x56.7mm