Infineon FP50R12N2T7B11BPSA2
Артикул: C17269623
Part Number: FP50R12N2T7B11BPSA2
Производитель: Infineon
от 59.250800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 156.299100 ₽ |
| 195 шт. | 62.365000 ₽ |
| 495 шт. | 60.280600 ₽ |
| 1005 шт. | 59.250800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V;1.64V;1.72V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 920nC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 11.1nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 39pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 59ns;61ns;62ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 290ns;380ns;420ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5.07mJ;6.76mJ;7.72mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.37mJ;5.31mJ;6.58mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 50A 1.2kV модули IGBT RoHS