Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-553
Артикул: C17268089
Part Number: RN1703JE(TE85L,F)
Производитель: TOSHIBA
от 0.228000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.237100 ₽ |
| 50 шт. | 0.233200 ₽ |
| 150 шт. | 0.230600 ₽ |
| 500 шт. | 0.228000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN Pre-Biased (Emitter-Coupled) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 70 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@5mA,200mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 22kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 NPN со встроенными резисторами смещения (эмиттер-связанный) 50V 100mA 100mW поверхностный монтаж SOT-553