MOSFET 2N-канал 60V 5.3A SOIC-8
Артикул: C17259086
Part Number: SI4900DY-T1-E3
Производитель: VISHAY
от 2.290800 ₽
В наличии: 47 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.363900 ₽ |
| 10 шт. | 2.331400 ₽ |
| 30 шт. | 2.311900 ₽ |
| 100 шт. | 2.290800 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5.3A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 72mΩ@4.5V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 665pF |
Описание
60V 5.3A 72mΩ@4.5V 3.1W 3V 2 N-канальный SOIC-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS