TOSHIBA RN2102MFV,L3F(CT
Артикул: C17258356
Part Number: RN2102MFV,L3F(CT
Производитель: TOSHIBA
от 0.019800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.052200 ₽ |
| 200 шт. | 0.020900 ₽ |
| 500 шт. | 0.020200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.019800 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.4V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.5V@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 50 100mA 150mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-723 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения