onsemi NXH200B100H4F2SG
Артикул: C17256350
Part Number: NXH200B100H4F2SG
Производитель: onsemi
от 117.305200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 309.442100 ₽ |
| 200 шт. | 123.469400 ₽ |
| 500 шт. | 119.343600 ₽ |
| 1000 шт. | 117.305200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 93W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.4V@15V,100A |
| Заряд затвора (Qg) | 326nC@600V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.523nF@20V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 253pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 26pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 570uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 960uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
93W 100A 1kV FS (ограничение поля) PIM-36(56.7x48) модули IGBT RoHS