AOS AOTF10B65M1

AOS AOTF10B65M1

Артикул: C17253954 Part Number: AOTF10B65M1 Производитель: AOS
от 0.506400 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.336500 ₽
200 шт. 0.533400 ₽
500 шт. 0.515900 ₽
1000 шт. 0.506400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 12W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 20A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Заряд затвора (Qg) 24nC
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.6V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 2V@15V,10A
Входная ёмкость (Cies) 655pF
Выходная ёмкость (Coes) 68pF
Проходная ёмкость (Cres) 25pF
Время задержки включения Td(on) 12ns
Время задержки выключения Td(off) 91ns
Энергия потерь при включении (Eon) 180uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 130uJ
Время обратного восстановления (trr) 263ns

Описание

12W 20A 650V TO-220 одиночные IGBT-транзисторы RoHS