MICROCHIP APT33GF120B2RDQ2G
Артикул: C17253479
Part Number: APT33GF120B2RDQ2G
Производитель: MICROCHIP
от 16.920400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 44.634400 ₽ |
| 200 шт. | 17.809600 ₽ |
| 500 шт. | 17.214300 ₽ |
| 1000 шт. | 16.920400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 357W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 64A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 170nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.855nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 230pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 110pF |
| Время задержки включения Td(on) | 14ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 185ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.315mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.515mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 350ns |
Описание
357W 64A 1.2kV NPT (не-пробойник Through) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS