onsemi NGB8207ABNT4G
Артикул: C17246455
Part Number: NGB8207ABNT4G
Производитель: onsemi
от 0.715900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.887300 ₽ |
| 200 шт. | 0.754000 ₽ |
| 444 шт. | 0.728600 ₽ |
| 888 шт. | 0.715900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 165W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 365V |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.75V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.2V@3.7V,10A |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 550ns;650ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 2.5us;4.7us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
165W 20A 365V D2PAK одиночные IGBT-транзисторы