MICROCHIP APT50GF120JRDQ3
Артикул: C17241435
Part Number: APT50GF120JRDQ3
Производитель: MICROCHIP
от 99.186800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 261.647500 ₽ |
| 200 шт. | 104.400300 ₽ |
| 500 шт. | 100.910500 ₽ |
| 1000 шт. | 99.186800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 521W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 120A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V;3V;3.1V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 495nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 5.32nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 555pF |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Проходная ёмкость (Cres) | 300pF |
| Время задержки включения Td(on) | 36ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 355ns;410ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 7.965mJ;9.895mJ;7.89mJ;14.11mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 4.34mJ;6.04mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 60ns;265ns;350ns;150ns |
Описание
521W 120A 1.2kV NPT (не-пробойник Through) модули IGBT RoHS