VISHAY SISF00DN-T1-GE3
Артикул: C17222483
Part Number: SISF00DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 2.668000 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.812200 ₽ |
| 10 шт. | 2.750000 ₽ |
| 30 шт. | 2.709000 ₽ |
| 100 шт. | 2.668000 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Common Drain |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5mΩ@10V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 44.4W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.1V |
| Заряд затвора (Qg) | 53nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 51pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 865pF |
Описание
30V 60A 5mΩ@10V 44.4W 2.1V 2 N-канальный сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS