DIODES DDTA114WCAQ-7-F
Артикул: C17216487
Part Number: DDTA114WCAQ-7-F
Производитель: DIODES
от 0.036200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.095400 ₽ |
| 200 шт. | 0.038100 ₽ |
| 500 шт. | 0.036800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.036200 ₽ |
Характеристики
| Тип | - |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 24 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@2mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
50V 24 100mA 200mW 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-23-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS