MICROCHIP APT100GT120JRDQ4
Артикул: C17198710
Part Number: APT100GT120JRDQ4
Производитель: MICROCHIP
от 57.535300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 151.773600 ₽ |
| 200 шт. | 60.560100 ₽ |
| 500 шт. | 58.535500 ₽ |
| 1000 шт. | 57.535300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 570W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 123A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.2V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 685nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.7nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 655pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 440pF |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 50ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 630ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 17.6mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 7.24mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 265ns |
Описание
570W 123A 1.2kV NPT (не-пробойник Through) модули IGBT RoHS