ROHM IMB1AT110
Артикул: C17198629
Part Number: IMB1AT110
Производитель: ROHM
от 0.085900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.226400 ₽ |
| 200 шт. | 0.090400 ₽ |
| 500 шт. | 0.087400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.085900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@0.5mA,10mA |
| Входной резистор | 28.6kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
56 300mW 100mA 50V 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы SC-74(SOT-457) сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS