DIODES DDTA114YE-7-F
Артикул: C17196303
Part Number: DDTA114YE-7-F
Производитель: DIODES
от 0.019800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.052200 ₽ |
| 200 шт. | 0.020900 ₽ |
| 500 шт. | 0.020200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.019800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V@1mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.7 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
50V 68 100mA 150mW NPN 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-523 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS