NTE Electronics 2N5460
Артикул: C17182514
Part Number: 2N5460
Производитель: NTE Electronics
от 1.147200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.026300 ₽ |
| 200 шт. | 1.207800 ₽ |
| 500 шт. | 1.166900 ₽ |
| 1000 шт. | 1.147200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 750mV |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 40V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рабочая температура | -65℃~+135℃ |
| Ток стока (Idss) | 1mA |
| Входная ёмкость Ciss | 7pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | 1pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
Описание
350mW 1 P-канальный 1mA 40V TO-92-3 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS