TOSHIBA GT30N135SRA,S1E

TOSHIBA GT30N135SRA,S1E

Артикул: C17181813 Part Number: GT30N135SRA,S1E Производитель: TOSHIBA
от 1.645400 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 4.340800 ₽
210 шт. 1.731900 ₽
510 шт. 1.675300 ₽
990 шт. 1.645400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 348W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.35kV
Ток коллектора (Ic) 60A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.65V
Заряд затвора (Qg) 270nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) -
Входная ёмкость (Cies) 3.7nF
Выходная ёмкость (Coes) 55pF
Проходная ёмкость (Cres) 40pF
Время задержки включения Td(on) -
Время задержки выключения Td(off) -
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.3mJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

348W 60A 1.35kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS