MICROCHIP MV2N5115UB
Артикул: C17181277
Part Number: MV2N5115UB
Производитель: MICROCHIP
от 107.193500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 282.766500 ₽ |
| 200 шт. | 112.826300 ₽ |
| 500 шт. | 109.056000 ₽ |
| 1000 шт. | 107.193500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 3V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 30V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 500mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 100Ω |
| Рабочая температура | -65℃~+200℃ |
| Ток стока (Idss) | 15mA |
| Входная ёмкость Ciss | 25pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
Описание
500mW 1 P-канальный 15mA 100Ω 30V SMD-3P полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET)