Infineon IRG4PH50S-EPBF
Артикул: C17180678
Part Number: IRG4PH50S-EPBF
Производитель: Infineon
от 1.147200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.026300 ₽ |
| 200 шт. | 1.207800 ₽ |
| 500 шт. | 1.166900 ₽ |
| 1000 шт. | 1.147200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W;80W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 57A;33A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V;1.75V;1.55V |
| Заряд затвора (Qg) | 167nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.6nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 160pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 30pF |
| Время задержки включения Td(on) | 32ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 1.268us;1.17us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.8mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 19.6mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.2kV TO-247AD одиночные IGBT-транзисторы