N-канальный JFET высокочастотный усилитель
Артикул: C171542
Part Number: 2SK508G-K51-AE3-R
Производитель: UTC
от 0.072800 ₽
В наличии: 2695 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.122400 ₽ |
| 50 шт. | 0.101300 ₽ |
| 150 шт. | 0.090800 ₽ |
| 500 шт. | 0.082900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.075900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.072800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 1.4V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 15V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Ток стока (Idss) | 50mA |
| Входная ёмкость Ciss | 4.8pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | 1.6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
Описание
200mW 50mA 1 N-канальный 15V SOT-23 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS