NPN кремний дарлингтона транзистор

NPN кремний дарлингтона транзистор

Артикул: C171471 Part Number: MMBTA14G-AE3-R Производитель: UTC
от 0.023500 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
20 шт. 0.040700 ₽
200 шт. 0.033300 ₽
600 шт. 0.029200 ₽
3000 шт. 0.026800 ₽
9000 шт. 0.024600 ₽
21000 шт. 0.023500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 350mW
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 20000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V@100mA,0.1mA
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 125MHz

Описание

30V 20000 500mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS