ST STB12NM50ND
Артикул: C165927
Part Number: STB12NM50ND
Производитель: ST
от 8.168700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.064600 ₽ |
| 10 шт. | 9.171000 ₽ |
| 30 шт. | 8.625200 ₽ |
| 100 шт. | 8.168700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 500V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Рабочая температура | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 380mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 850pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 48pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±25V |
Описание
100W 500V 11A 5V 380mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)