Комплементарный мощность дарлингтона транзисторы

Комплементарный мощность дарлингтона транзисторы

Артикул: C16283 Part Number: TIP122 Производитель: ST
от 0.163900 ₽ В наличии: 64745 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.318700 ₽
50 шт. 0.245500 ₽
150 шт. 0.209800 ₽
500 шт. 0.177900 ₽
2500 шт. 0.169200 ₽
5000 шт. 0.163900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 5A
Рассеиваемая мощность (Pd) 65W
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2V;4V
Ток отсечки коллектора 200uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.5V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 1000 5A NPN TO-220 одиночные биполярные транзисторы RoHS