80V NPN дарлингтона транзистор in SOT23

80V NPN дарлингтона транзистор in SOT23

Артикул: C155509 Part Number: MMBTA28-7-F Производитель: DIODES
от 0.053400 ₽ В наличии: 995 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.103900 ₽
50 шт. 0.085800 ₽
150 шт. 0.076700 ₽
500 шт. 0.070000 ₽
3000 шт. 0.056100 ₽
6000 шт. 0.053400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 80V
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 300mW
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 10000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.2V;1.5V
Ток отсечки коллектора 500nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 12V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 125MHz

Описание

80V 10000 500mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS