Кремниевый планарный NPN-транзистор дарлингтона средней мощности

Кремниевый планарный NPN-транзистор дарлингтона средней мощности

Артикул: C155392 Part Number: ZTX614 Производитель: DIODES
от 2.563700 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.473500 ₽
10 шт. 3.133900 ₽
30 шт. 2.922700 ₽
100 шт. 2.705000 ₽
500 шт. 2.607600 ₽
1000 шт. 2.563700 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 800mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 1W
Рабочая температура -55℃~+200℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 10000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.25V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.8V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 10000 800mA NPN TO-92 одиночные биполярные транзисторы RoHS