120V NPN высоковольтный дарлингтона транзистор

120V NPN высоковольтный дарлингтона транзистор

Артикул: C155228 Part Number: FCX605TA Производитель: DIODES
от 1.746500 ₽ В наличии: 2 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.731000 ₽
10 шт. 2.363900 ₽
30 шт. 2.134800 ₽
100 шт. 1.899200 ₽
500 шт. 1.792000 ₽
1000 шт. 1.746500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 120V
Ток коллектора (Ic) 1A
Рассеиваемая мощность (Pd) 1W
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 2000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 100nA;10uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.8V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.7V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 150MHz

Описание

120V 2000 1A NPN SOT-89 одиночные биполярные транзисторы RoHS