JFET импульсный транзисторы N-канальный
Артикул: C153770
Part Number: MMBF4391LT1G
Производитель: onsemi
от 0.067800 ₽
В наличии: 32250 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.128200 ₽ |
| 50 шт. | 0.103200 ₽ |
| 150 шт. | 0.090700 ₽ |
| 500 шт. | 0.081300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.071500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.067800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 4V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 30V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 30Ω |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Ток стока (Idss) | 50mA |
| Входная ёмкость Ciss | 14pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
Описание
225mW 50mA 1 N-канальный 30Ω 30V SOT-23 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS