Транзистор предварительное смещение 50V SOT-353
Артикул: C153064
Part Number: UMC3NT1G
Производитель: onsemi
от 0.053700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.085000 ₽ |
| 100 шт. | 0.071500 ₽ |
| 300 шт. | 0.064800 ₽ |
| 3000 шт. | 0.059800 ₽ |
| 6000 шт. | 0.055700 ₽ |
| 9000 шт. | 0.053700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased (Base-Collector Junction) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 35 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-353