Infineon IPB200N15N3 G
Артикул: C152433
Part Number: IPB200N15N3 G
Производитель: Infineon
от 10.054800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.376500 ₽ |
| 10 шт. | 10.238400 ₽ |
| 30 шт. | 10.147400 ₽ |
| 100 шт. | 10.054800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 150V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 20mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 31nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.82nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 214pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
150W 150V 50A 4V 20mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)