JFET импульсный транзисторы N-канальный
Артикул: C152291
Part Number: MMBF4393LT1G
Производитель: onsemi
от 0.061500 ₽
В наличии: 39515 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.123900 ₽ |
| 50 шт. | 0.102000 ₽ |
| 150 шт. | 0.091100 ₽ |
| 500 шт. | 0.082900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.064800 ₽ |
| 6000 шт. | 0.061500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 500mV |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 30V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 100Ω |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Ток стока (Idss) | 5mA |
| Входная ёмкость Ciss | 14pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
Описание
225mW 5mA 1 N-канальный 100Ω 30V SOT-23 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS