80V NPN кремний планарный дарлингтона транзистор in SOT89
Артикул: C151579
Part Number: BST52TA
Производитель: DIODES
от 0.283600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.529800 ₽ |
| 10 шт. | 0.424500 ₽ |
| 30 шт. | 0.379200 ₽ |
| 100 шт. | 0.322500 ₽ |
| 500 шт. | 0.298100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.283600 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 80V |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.3V |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 1.9V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
80V 1000 500mA NPN SOT-89 одиночные биполярные транзисторы RoHS