Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C150996
Part Number: DDC114EU-7-F
Производитель: DIODES
от 0.078200 ₽
В наличии: 2125 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.128200 ₽ |
| 50 шт. | 0.106700 ₽ |
| 150 шт. | 0.095900 ₽ |
| 500 шт. | 0.087900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.081400 ₽ |
| 6000 шт. | 0.078200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.9V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363