Транзистор предварительное смещение 50V SOT-523
Артикул: C150163
Part Number: RN1107,LF(CT
Производитель: TOSHIBA
от 0.274400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.281400 ₽ |
| 10 шт. | 0.278400 ₽ |
| 30 шт. | 0.276400 ₽ |
| 100 шт. | 0.274400 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.8V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.213 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 100mW поверхностный монтаж SOT-523