onsemi MJD117-1G
Артикул: C146794
Part Number: MJD117-1G
Производитель: onsemi
от 0.104300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.109700 ₽ |
| 50 шт. | 0.107400 ₽ |
| 150 шт. | 0.105800 ₽ |
| 500 шт. | 0.104300 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.75W |
| Ток коллектора (Ic) | 2A |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3V |
| Ток отсечки коллектора | 20uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 4V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2.8V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 25MHz |
Описание
100V 1000 2A PNP DPAK-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS