Мощность транзисторы дарлингтона для изолированный корпус применения
Артикул: C146744
Part Number: MJF122G
Производитель: onsemi
от 0.626200 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.107900 ₽ |
| 10 шт. | 0.921400 ₽ |
| 50 шт. | 0.817600 ₽ |
| 100 шт. | 0.700800 ₽ |
| 500 шт. | 0.650500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.626200 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Ток коллектора (Ic) | 5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 30W |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 2000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.5V |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | - |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2.5V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
100V 2000 5A NPN TO-220FP одиночные биполярные транзисторы RoHS