onsemi MJD5731T4G
Артикул: C146733
Part Number: MJD5731T4G
Производитель: onsemi
от 0.291300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.556500 ₽ |
| 10 шт. | 0.443000 ₽ |
| 30 шт. | 0.395500 ₽ |
| 100 шт. | 0.334200 ₽ |
| 500 шт. | 0.306600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.291300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP |
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 350V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 15W |
| Ток коллектора (Ic) | 1A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1V |
| Ток отсечки коллектора | 100uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Конфигурация | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 10MHz |
Описание
350V 30 1A 1 PNP PNP TO-252-2(DPAK) одиночные биполярные транзисторы RoHS