VISHAY SI8810EDB-T2-E1
Артикул: C145308
Part Number: SI8810EDB-T2-E1
Производитель: VISHAY
от 0.588200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.607700 ₽ |
| 10 шт. | 0.599500 ₽ |
| 30 шт. | 0.594700 ₽ |
| 100 шт. | 0.588200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.9A |
| Конфигурация | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 900mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 900mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 125mΩ@1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 8nC@8V |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
900mW 20V 2.9A 900mV 125mΩ@1.5V 1 N-канальный N-канальный BGA-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS