VISHAY SI8817DB-T2-E1
Артикул: C144866
Part Number: SI8817DB-T2-E1
Производитель: VISHAY
от 0.300000 ₽
В наличии: 3028 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.504800 ₽ |
| 10 шт. | 0.416300 ₽ |
| 30 шт. | 0.380300 ₽ |
| 100 шт. | 0.332700 ₽ |
| 500 шт. | 0.311400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.300000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.9A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 900mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 320mΩ@1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 12.5nC@8V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 615pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 75pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 90pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
900mW 20V 2.9A 1V 320mΩ@1.5V 1 P-канальный P-канальный X-FBGA-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS