VISHAY SI3410DV-T1-GE3
Артикул: C143759
Part Number: SI3410DV-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.844000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.021100 ₽ |
| 10 шт. | 1.993500 ₽ |
| 30 шт. | 1.975600 ₽ |
| 100 шт. | 1.844000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 4.1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 23mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 9.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.295nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 72pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 170pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
4.1W 30V 8A 3V 23mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный TSOP-6-1.5mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS