VISHAY SI8824EDB-T2-E1
Артикул: C143703
Part Number: SI8824EDB-T2-E1
Производитель: VISHAY
от 0.887100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.913100 ₽ |
| 10 шт. | 0.901700 ₽ |
| 30 шт. | 0.893600 ₽ |
| 100 шт. | 0.887100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.9A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 900mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 800mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 175mΩ@1.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 6nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 400pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 35pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 60pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±5V |
Описание
900mW 20V 2.9A 800mV 175mΩ@1.2V 1 N-канальный N-канальный X-FBGA-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS