VISHAY SI8483DB-T2-E1
Артикул: C142558
Part Number: SI8483DB-T2-E1
Производитель: VISHAY
от 1.343600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.793600 ₽ |
| 10 шт. | 1.618200 ₽ |
| 30 шт. | 1.522300 ₽ |
| 100 шт. | 1.413500 ₽ |
| 500 шт. | 1.364700 ₽ |
| 1000 шт. | 1.343600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 12V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 16A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 13W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 800mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 92mΩ@1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 65nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.84nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 380pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 410pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±10V |
Описание
13W 12V 16A 800mV 92mΩ@1.5V 1 P-канальный P-канальный BGA-6 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS