VISHAY SIS410DN-T1-GE3
Артикул: C141627
Part Number: SIS410DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.627500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.659600 ₽ |
| 10 шт. | 0.645900 ₽ |
| 30 шт. | 0.636700 ₽ |
| 100 шт. | 0.627500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.3mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 27nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.6nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 200pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 500pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
52W 20V 35A 2.5V 6.3mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный PowerPAK1212-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS