VISHAY SIA429DJT-T1-GE3
Артикул: C141612
Part Number: SIA429DJT-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.007300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.036600 ₽ |
| 10 шт. | 1.023600 ₽ |
| 30 шт. | 1.015400 ₽ |
| 100 шт. | 1.007300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 19W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 60mΩ@1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 62nC@8V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.75nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 240pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 270pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
19W 20V 12A 1V 60mΩ@1.5V 1 P-канальный P-канальный PowerPAK-SC-70-6 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS