VISHAY SI5515CDC-T1-GE3
Артикул: C141601
Part Number: SI5515CDC-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.387700 ₽
В наличии: 221 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.703000 ₽ |
| 10 шт. | 0.574900 ₽ |
| 30 шт. | 0.509200 ₽ |
| 100 шт. | 0.446800 ₽ |
| 500 шт. | 0.407400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.387700 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 49A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 156mΩ@1.8V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 800mV |
| Заряд затвора (Qg) | 6.5nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 632pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 70pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 80pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
20V 49A 3.1W 156mΩ@1.8V 800mV 1 N-канальный + 1 P-канальный ChipFET1206-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS