VISHAY SI7852DP-T1-E3
Артикул: C141509
Part Number: SI7852DP-T1-E3
Производитель: VISHAY
от 1.188200 ₽
В наличии: 3000 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.040400 ₽ |
| 10 шт. | 1.722400 ₽ |
| 30 шт. | 1.524100 ₽ |
| 100 шт. | 1.320900 ₽ |
| 500 шт. | 1.229200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.188200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 5.2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 22mΩ@6V |
| Заряд затвора (Qg) | 41nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
5.2W 80V 12.5A 2V 22mΩ@6V 1 N-канальный N-канальный PowerPAK-SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS