ST MJD122T4

ST MJD122T4

Артикул: C138774 Part Number: MJD122T4 Производитель: ST
от 0.228400 ₽ В наличии: 1035 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.412700 ₽
50 шт. 0.334100 ₽
150 шт. 0.300400 ₽
500 шт. 0.258300 ₽
2500 шт. 0.239600 ₽
5000 шт. 0.228400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 8A
Рассеиваемая мощность (Pd) 20W
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 4V
Ток отсечки коллектора 10uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 4.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.8V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 1000 8A NPN TO-252-2(DPAK) одиночные биполярные транзисторы RoHS