Высоковольтный, сильноточный дарлингтона транзистор сборки
Артикул: C133347
Part Number: MC1413DR2G
Производитель: onsemi
от 0.177100 ₽
В наличии: 5200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.373200 ₽ |
| 50 шт. | 0.289600 ₽ |
| 150 шт. | 0.253700 ₽ |
| 500 шт. | 0.209000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.189100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.177100 ₽ |
Характеристики
| Количество каналов | Seven channels |
| Тип | BJT |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Максимальное входное напряжение | 30V |
| Рабочая температура | -20℃~+85℃ |
| Ток утечки выхода (Icex) | 50uA |
| Входной ток во включённом состоянии | 1.35mA |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.1V |
| Входной ток в выключенном состоянии | 100uA |
| Прямое напряжение (Vf) | 1.5V |
| Обратный ток утечки (Ir) | 50uA |
| Входная ёмкость (Ci) | 15pF |
Описание
Семь каналов BJT 500mA SOIC-16 сборки биполярных транзисторов RoHS