JFET прерыватель P-канальный - обеднение
Артикул: C133304
Part Number: MMBFJ175LT1G
Производитель: onsemi
от 0.081400 ₽
В наличии: 18630 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.182900 ₽ |
| 50 шт. | 0.144200 ₽ |
| 150 шт. | 0.127700 ₽ |
| 500 шт. | 0.107000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.086900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.081400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 3V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 30V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 125Ω |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Ток стока (Idss) | 7mA |
| Входная ёмкость Ciss | 11pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
Описание
225mW 7mA 1 P-канальный 125Ω 30V SOT-23 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS