Транзистор предварительное смещение 50V TO-236-3(SOT-23-3)
Артикул: C132427
Part Number: DTD114GKT146
Производитель: ROHM
от 0.231700 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.245500 ₽ |
| 10 шт. | 0.239400 ₽ |
| 30 шт. | 0.234800 ₽ |
| 100 шт. | 0.231700 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | -25℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | 500nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 500mA 200mW поверхностный монтаж TO-236-3(SOT-23-3)